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2023-06-13 发布于四川
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超低相位噪声时钟缓冲器.pdf

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本发明涉及集成电路技术领域，具体是涉及一种超低相位噪声时钟缓冲器。本发明的超低相位噪声时钟缓冲器，包括耦合电容、第一倒相器、第一信号选择器、整形驱动电路和信号通道组；耦合电容用于对输入信号进行耦合；第一倒相器包括PMOS管和NMOS管，构成第一倒相器的PMOS管和NMOS管的沟道长度不低于特征尺寸的5倍；整形驱动电路用于对输入信号进行整形，并增强驱动能力；信号通道组包括若干组信号通道，信号通道用于产生经缓冲放大后的输出时钟信号。本发明通过对整体的结构和缓冲器的单元结构进行设计，能够将相位噪声降低

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113098446 B (45)授权公告日 2021.11.30 (21)申请号 202110329331.X H03K 3/02 (2006.01) (22)申请日 2

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