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本发明属于碳化硅MOSFET的栅氧化层制备及可靠性技术领域，一种新型的含氯元素的碳化硅氧化工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC衬底进行清洗，(2)将清洗过的碳化硅衬底在高温氧化炉中氧化制备SiO2氧化膜，(3)对步骤2的样品进行氧化后退火，(4)完成对SiCMOSFET器件的制备。本发明在传统氧化方法的基础上引入了氯元素，解决了热氧化生长的SiO2薄膜致密性和击穿特性差的问题，同时氯元素可以有效钝化氧化层中的可动离子和缺陷陷阱，一定程度上改善了MOS器件的电压稳定性和可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113113288 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110345583.1
(22)申请日 2021.03.31
(71)申请人 大连理工大学
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