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本发明提供一种半导体设备和清洗方法，包括：反应腔室，反应腔室用于对晶圆进行处理工艺；真空泵，真空泵通过排气管路与反应腔室的第一端连接，真空泵用于抽取反应腔室内的副产物；以及与排气管路连接的第一远程等离子体清洗装置，第一远程等离子体清洗装置用于清洗排气管路中的副产物。这样，通过在反应腔室与真空泵之间的排气管路上连接第一远程等离子体清洗装置，第一远程等离子体清洗装置产生的等离子体进入排气管路中，并与排气管路中的副产物反应，从而达到清洗排气管路中的副产物的目的，避免副产物堵塞排气管路。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113066740 B
(45)授权公告日 2022.04.01
(21)申请号 202110327094.3 (56)对比文件
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