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本发明实施例公开了一种高强度高热导氮化硅陶瓷基板及其制备方法和应用,涉及陶瓷基板制备技术领域。制备方法包括:对分散剂和溶剂进行球磨处理,得到分散剂溶液;在保持球磨状态下依次向分散剂溶液中加入烧结助剂和氮化硅陶瓷粉体,继续球磨得到稳定悬浮液;向稳定悬浮液中加入增塑剂,在保持球磨状态下分多次向稳定悬浮液中加入粘接剂,继续球磨得到流延浆料;对流延浆料进行脱泡处理;通过流延成型工艺将流延浆料制备为生胚片;将生胚片堆叠后得到初始胚体;依次通过冷等静压工艺、排胶工艺以及烧结工艺将初始胚体制成陶瓷。通过本发明
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113087531 B
(45)授权公告日 2022.06.14
(21)申请号 202110361923.X H01L 23/15 (2006.01)
(22)申请日 2021.04
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