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本公开涉及一种半导体装置的形成方法。接收半导体结构，其具有第一鳍状物与第二鳍状物。形成第一外延结构于第一鳍状物上，且第一外延结构具有第一型掺质。形成第一盖层于第一外延结构上。形成第二外延结构于第二鳍状物上，第二外延结构具有第二型掺质，且第二型掺质与第一型掺质不同。沉积第一金属于第二外延结构与第一盖层上。自第一金属与第二外延结构形成第一硅化物层，并自第一金属与第一盖层形成第二盖层。选择性移除第二盖层。沉积第二金属于第一外延结构与第二外延结构上。自第二金属与第一外延结构形成第二硅化物层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113113311 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110198485.X
(22)申请日 2021.02.22
(30)优先权数据
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