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本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层之后分别插入第一插入层、第二插入层与第三插入层，第一插入层、第二插入层与第三插入层为AlN‑Si‑AlN复合结构。第一插入层、第二插入层与第三插入层带来的张应力可以抵消GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层生长时带来的压应力，得到的发光二极管外延片的表面较为平整且质量较好。且第一插入层、第二插入层与第三插入层的层叠结构也可以释放一定的应力，得到的发光二极管外延片的质量及发光效率也
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113113518 B
(45)授权公告日 2022.05.13
(21)申请号 202110208522.0 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日 2021.02
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