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- 2023-06-13 发布于四川
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本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：第一导体层，所述第一导体层包括至少一条第一走线；第二导体层，所述第二导体层包括至少一条第二走线；所述第一走线与所述第二走线交叉接触；绝缘层，所述绝缘层位于所述第二导体层背离所述第一导体层的一侧；通孔，所述通孔贯穿所述绝缘层，所述第一走线与所述第二走线的至少一个交叉位置上具有所述通孔；第三导体层，所述第三导体层位于所述绝缘层背离所述第一导体层与所述第二导体层的一侧。本发明方案通过在第一走线与第二走线的至少一个交叉位置上设置通孔，并将其余的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113066799 B
(45)授权公告日 2022.08.19
(21)申请号 202110281808.1 H01L 27/02 (2006.01)
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