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本发明属于电子陶瓷材料领域，具体提供一种高强度高模量镁铝硅基板材料及其制备方法，适用于超大规模集成电路封装基板；该基板材料组成成分为：MgO为11～16wt％、Al2O3为18～28wt％、SiO2为47～53wt％、ZrO2为2～10wt％、B2O3为2～6wt％、BaO为1～5wt％。本发明通过BaO掺杂，有效抑制了Indialite相Mg2Al4Si5O18的形成，促进了石英固溶体相(MgAl2Si3O10)0.6的生成，最终形成了(MgAl2Si3O10)0.6和Indialite的相嵌
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113087502 B
(45)授权公告日 2022.01.25
(21)申请号 202110333542.0 (56)对比文件
(22)申
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