半导体装置的形成方法.pdfVIP

半导体装置的形成方法.pdf

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半导体装置的形成方法包括：自半导体鳍状物上移除虚置栅极；沉积粘着层与填充金属层于半导体鳍状物上；以及以湿蚀刻溶液同时蚀刻粘着层与填充金属层，且湿蚀刻溶液蚀刻粘着层的速率大于蚀刻填充金属层的速率，并再成形填充金属。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130321 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110136219.4 (22)申请日 2021.02.01 (30)优先权数据 16/803,08

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