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第一半导体管芯和第二半导体管芯可以增强键合焊盘的对准的方式键合。可通过在第一晶圆的背侧上形成图案化的应力产生膜来补偿包括第一半导体管芯的第一晶圆的非均匀变形。金属凸块部分可通过选择性金属沉积工艺形成在金属键合焊盘的凹形表面上，以减小键合的金属键合焊盘对之间的间隙。可在光刻曝光工具中采用移轴操作来调节半导体管芯上的焊盘到焊盘间距，以与另一个半导体管芯的焊盘到焊盘间距匹配。可采用被配置为在晶圆上提供非均匀位移的卡盘来将晶圆保持在成型的形状，以用于在匹配的成型位置中与另一个晶圆键合。可采用独立的高度控
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113169125 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 201980079159.8 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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