使用外延半导体沟道和掩埋源极线的三维存储器器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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使用外延半导体沟道和掩埋源极线的三维存储器器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于单晶半导体层上方；单晶外延源极半导体层，该单晶外延源极半导体层位于该单晶半导体层与该交替堆叠之间并且与该单晶半导体层外延对准；和存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构竖直延伸穿过该交替堆叠并且包括存储器膜和外延竖直半导体沟道，该外延竖直半导体沟道包括在界面处与该外延源极半导体层外延对准的单晶半导体材料。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169179 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980079333.9 (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理