原创力文档- 1、本文档共26页，其中可免费阅读25页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明的实施方式涉及一种显示装置，其中在氧化物半导体薄膜晶体管设置在低温多晶硅薄膜晶体管的上表面上的结构中，氢吸附层设置在低温多晶硅薄膜晶体管之中的驱动晶体管上的电容器电极上，从而可以防止由于驱动晶体管在氧化物半导体薄膜晶体管的热处理工艺期间的再次氢化而导致S因子减小。所述显示装置包括：设置在基板上的多个第一薄膜晶体管；设置在所述第一薄膜晶体管上的至少一个绝缘层；设置在所述绝缘层上的多个第二薄膜晶体管；以及包括氢吸附层的电容器电极，所述氢吸附层设置在所述多个第一薄膜晶体管之中的至少一些第一薄膜晶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130547 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202011405148.5
(22)申请日 2020.12.03
(30)优先权数据
10-2019-0
文档评论（0）