氮化物半导体基板的制造方法和氮化物半导体基板.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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氮化物半导体基板的制造方法和氮化物半导体基板.pdf

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一种氮化物半导体基板的制造方法，其使用了气相外延法，所述制造方法具有如下工序：准备基底基板的工序，所述基底基板由与III族氮化物半导体的单晶不同的材料形成；使基底层在基底基板的上方生长的工序；第一工序，使具有露出(0001)面的顶面的III族氮化物半导体的单晶在基底层的基底面上直接外延生长，使顶面产生由除了(0001)面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使该倾斜界面随着向基底层的基底面的上方去而缓缓扩大，使(0001)面从顶面消失，从而使表面仅由倾斜界面构成的第一层生长；以及第二工序，使III族氮化

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113166971 B (45)授权公告日 2023.03.31 (21)申请号 201980081552.0 (74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事