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2023-06-14 发布于四川
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图案形成方法包括：(a)在基底上形成底层，其中所述底层的厚度为5微米或更大；(b)在所述底层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包含含硅聚合物、光酸产生剂和溶剂，其中所述含硅聚合物包含作为聚合单元的式(I)的单体：其中：R1独立地选自H、F、OH、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C6羟基‑卤代烷基、C1‑C6烷氧基、或C1‑C6卤代烷氧基；R2独立地选自H或F；R3独立地选自H、F、CH3、CF3、CHF2、或CH2F；R4包括酸可裂解基

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113126439 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202011498811.0 G03F 7/004 (2006.01) (22)申请日 2

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