具有双TMR膜的磁传感器阵列.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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公开了一种包括一个或多个TMR传感器的隧穿磁阻(TMR)传感器设备。该TMR传感器设备包括：第一电阻器，该第一电阻器包括第一TMR膜；第二电阻器，该第二电阻器包括不同于该第一TMR膜的第二TMR膜；第三电阻器，该第三电阻器包括该第二TMR膜；以及第四电阻器，该第四电阻器包括该第一TMR膜。第一TMR膜包括基准层，该基准层具有与钉扎层的第二磁化方向反平行的第一磁化方向。第二TMR膜包括具有平行于第一钉扎层的第二磁化方向的第一磁化方向的基准层，以及具有与基准层的第一磁化方向和第一钉扎层的第二磁化方向

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113167847 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202080006972.5 周荣辉　毛明　姜明　D ·毛里　 (22)申请日