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能够抑制功率循环耐量降低。具备半导体芯片(30)，所述半导体芯片(30)在正面(34)具备由电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)构成，并且从电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)分别输出输出电流的有源区(32)。另外，具备在各个电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)被连接至少一根的引线。另外，在半导体装置(10)中，引线被连接与所连接的电极区域(32a、32b、32c、32d、32e)的位置对应的每单位根数的电流量达到预定值以下的根数。由此，能够抑制由于电流
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113169163 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 202080006402.6 (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限
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