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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种新型氮化镓IGBT器件及其制备方法、芯片，通过在半导体衬底的背面进行刻蚀形成深入至N型氮化镓层的第二凹槽，并在第一预设条件下向N型氮化镓层注入P型掺杂离子，在N型氮化镓层的背面形成P型集电区，通过采样上述在第一预设条件下在N型氮化镓层注入P型掺杂离子，可以使得P型集电区的浓度达到2.3～2.5*1019cm‑3，如此形成较高浓度的P型集电区，高浓度的P型集电区可以使得IGBT器件在工作时具有较低的导通电阻，如此提升了IGBT器件的应用范围和场景。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116259541 A
(43)申请公布日 2023.06.13
(21)申请号 202211651951.6
(22)申请日 2022.12.21
(71)申请人 天狼芯半导体（成都）有限公司
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