一种用于多端口ESD保护的器件结构.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种用于多端口ESD保护的器件结构.pdf

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本发明提供一种用于多端口ESD保护的器件结构，第一、第二PMOS；位于第一、第二PMOS之间的P阱；第一PMOS包含第一N阱；第一N阱上设有第一、第二N+区及第一、第二P+区；第一N+区、第一P+区、第二N+区及第一N阱连接至电源电压VDD1；第二P+区连接至第一IO端；P阱上设有第三N+区、第三P+区及第四N+区；第三N+区、第三P+区及第四N+区共同接地；第二PMOS包含第二N阱；第二N阱上设有第五N+区、第四P+区、第五P+区及第六N+区；第五N+区、第四P+区、第六N+区及第二N阱共同连

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140558 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110467124.0 (22)申请日 2021.04.28 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司