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本发明实施例涉及包含具有分离部分的标准单元的半导体装置。根据本发明的一些实施例,一种半导体装置包含第一电源轨、第二电源轨及第一单元。所述第一单元具有第一1型有源区域及第一2型有源区域,且所述第一单元的第一单元高度界定为所述第一电源轨与所述第二电源轨之间的节距。所述半导体装置进一步包含具有第二1型有源区域及第二2型有源区域的第二单元,其中所述第二1型有源区域在所述第一行的第一侧上延伸于第二行及第三行中且具有大于沿列方向的所述第一1型有源区域的第二宽度的沿所述列方向的第一宽度。所述半导体装置还包含具
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113161343 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 202110085852.5 H01L 21/8238 (2006.01)
(22)申请日
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