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绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠在衬底上方形成。在与所述交替堆叠相邻的所述衬底上方形成至少一个介电材料部分。存储器堆叠结构穿过交替堆叠形成。使用相同各向异性蚀刻工艺形成延伸穿过交替堆叠的沟槽和延伸穿过至少一个介电材料部分的通孔腔体。通孔腔体比沟槽深，并且通孔腔体延伸到衬底的上部部分中。使用沟槽作为蚀刻剂和反应物的导管，用导电层替换牺牲材料层。在沟槽中形成沟槽填充结构，并且使用材料部分的同时沉积在通孔腔体中形成通孔结构组件。可在通孔结构组件的底表面上形成接合垫。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113169152 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 201980079344.7 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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