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本发明公开了一种基于激光直写钼片制备碳化钼纳米微阵列的方法，将构建微纳米阵列结构与合成碳化钼材料相结合，通过激光直写一步法制备具有三维微纳米阵列结构的碳化钼材料。本发明基于激光与钼片的烧蚀作用，制备出三维的微纳米阵列结构，同时与碳源发生反应合成碳化钼，一步法制备碳化钼纳米微阵列材料，避免了传统的微纳米阵列制备中的复杂操作步骤和光刻胶等有毒试剂的使用，降低了制备工艺的复杂性同时增加了实验安全性。本方法可以任意设计碳化钼纳米微阵列的外部形貌和阵列排布，所得碳化钼纳米微阵列形状可控，尺寸精度高，用于电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113136596 B
(45)授权公告日 2022.07.15
(21)申请号 202110398615.4 C25B 1/04 (2021.01)
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