电力电子技术习题07填空部分解答.pdf

丹青不知老将至，贫贱于我如浮云。——杜甫 电力电子学习题集 第 1 章 电力电子器件 填空题： 1.电力电子器件一般工作在__开关___状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开 关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由_控制电路_、_驱动电路_、 _主电路__ 三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单 极型器件 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_单向导电性_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复_、 _肖特基_。 7.肖特基二极管的开关损耗_低于(小于)_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 _电压_正向有触发则导通、反向截止 _ 阻断_ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_大于_IH 。 10.晶闸管断态不重复电压U 与转折电压U 数值大小上应为，U _低 DRM bo DRM 于_U 。 bo 11.逆导晶闸管是将_一个二极管_与晶闸管_反并联_ （如何连接）在同一管 芯上的功率集成器件。 12.GTO的_特殊_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_二次击 穿_。 14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性 中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止_、前者的饱和区 对应后者的_放达区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。 15.电力MOSFET的通态电阻具有_正_温度系数。 16.IGBT 的开启电压U (th) 随温度升高而_略有下降_，开关速度_低于_电 GE 力MOSFET 。 17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是_智能功 率集成电路SPIC_。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力 电子器件分为_电流驱动型_和_电压驱动型_两类。 19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是_平台_。 20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_使GTR导通时处于临界饱和 状态，加快关断_。 21.抑制过电压的方法之一是用_C_吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将 其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于_小_功率装置的保护 。 22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快恢复_型二极管，以便 与功率晶体管的开关时间相配合。 23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_静态均压_措施，给 西华大学机械学院唐浦华 大丈夫处世，不能立功建业，几与草木同腐乎？——《罗贯中》 以家为家，以乡为乡，以国为国，以天下为天下。——《管子·牧民》 电力电子学习题集 每只管子并联RC支路是_动态均