用于3D NAND应用的存储单元制造.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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用于3D NAND应用的存储单元制造.pdf

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本公开内容的实施方式提供一种用于形成具有精确轮廓和尺寸控制的阶梯状结构的设备和方法，用于制造三维(3D)堆叠的存储单元半导体装置。在一个实施方式中，一种存储单元装置包括：膜堆叠，所述膜堆叠包括在基板上水平地形成的交替对的介电层和导电结构；和开口，所述开口形成在膜堆叠中，其中开口填充有金属介电层、多层结构和中心填充层，其中开口中的金属介电层与导电结构界面连接。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169176 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980080402.8 (74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理