形成用于三维存储器器件的无接缝漏极选择层级电极的方法以及通过该方法形成的结构.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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形成用于三维存储器器件的无接缝漏极选择层级电极的方法以及通过该方法形成的结构.pdf

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延伸穿过绝缘层和字线层级导电层的交替堆叠的存储器柱结构形成在衬底上方。这些存储器柱结构中的每个存储器柱结构包括竖直半导体沟道和存储器膜。这些存储器柱结构中的每个存储器柱结构突出在位于该交替堆叠上方的绝缘帽盖层上方，以提供在成对的横向相邻的这些存储器柱结构之间横向延伸的柱间间隙区。具有物理暴露的金属成核表面的金属成核材料形成在该柱间间隙区的底部处，而不覆盖这些存储器柱结构的侧壁的上部部分。可以使金属从该物理暴露的金属成核表面向上选择性地生长，同时抑制该金属从这些存储器柱结构周围的物理暴露的竖直表面

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169187 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980080695.X (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理