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本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀层方格、坩埚装置和晶体生长方法。镀层方格包括支撑环和方格网；支撑环能够用于支撑镀层方格设置在坩埚中，且支撑环的外壁能够用于抵持在坩埚的内壁上；支撑环具有与坩埚内部连通的连通孔，方格网设置在连通孔的周缘上；方格网具有多个沿坩埚高度方向延伸的导通孔。其能够保障碳化硅晶体的生长速度和产品品质。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113122915 B
(45)授权公告日 2022.05.10
(21)申请号 202110420515.7 (56)对比文件
(22)申请日 2021.04.19
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