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公开了一种薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示设备，其中，该薄膜晶体管包括：基板上的第一绝缘层；第一绝缘层上的有源层；以及栅极，该栅极与有源层间隔开并且被配置为具有与有源层交叠的至少一部分，其中，有源层具有氧化物半导体材料的单晶结构，并且第一绝缘层的接触有源层的上表面是由氧(O)制成的氧(O)层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130659 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202011528756.5 H01L 27/32 (2006.01)
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