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本公开涉及半导体器件及方法。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底上方形成第一金属间电介质(IMD)层；在第一IMD层上方形成底部电极层；在底部电极层上方形成磁性隧道结(MTJ)薄膜堆叠；在MTJ薄膜堆叠上方形成第一顶部电极层；形成覆盖第一顶部电极层的第一区域的保护掩模，第一顶部电极层的第二区域未被保护掩模覆盖；在保护掩模和第一顶部电极层上方形成第二顶部电极层；以及利用离子束蚀刻(IBE)工艺对第二顶部电极层、第一顶部电极层、MTJ薄膜堆叠、底部电极层和第一IMD层进行图案化以形成MRAM单
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113140672 A
(43)申请公布日 2021.07.20
(21)申请号 202110054250.3
(22)申请日 2021.01.15
(30)优先权数据
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