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本公开涉及半导体器件和方法。一种方法，包括：形成在半导体衬底之上延伸的鳍；在鳍之上形成光致抗蚀剂结构；在光致抗蚀剂结构中图案化蛇形切口图案以形成切口掩模，其中，蛇形切口图案在鳍之上延伸，其中，蛇形切口图案包括交替的桥接区域和切口区域，其中，每个切口区域沿第一方向延伸，其中，每个桥接区域沿第二方向在相邻的切口区域之间延伸，其中，第二方向相对于第一方向的正交方向在30°之内；以及使用切口掩模作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113140512 A
(43)申请公布日 2021.07.20
(21)申请号 202110083342.4
(22)申请日 2021.01.21
(30)优先权数据
63/015,95
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