基于g-C3N4的TiO2晶粒堆积三维贯通孔复合结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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基于g-C3N4的TiO2晶粒堆积三维贯通孔复合结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种基于g‑C3N4的TiO2晶粒堆积贯通孔复合结构，基底g‑C3N4粉体轻盈蓬松，具有多维方向上均匀分布的贯通孔隙结构，贯通孔隙结构的孔壁厚度为20‑40nm，贯通孔隙结构的孔道直径范围100‑200nm；尺寸为10‑20nm的TiO2纳米晶粒均匀分布在贯通孔隙结构的多维孔壁上形成g‑C3N4/TiO2复合层结构，g‑C3N4/TiO2复合层结构的厚度30‑50nm，由TiO2晶粒堆积形成的多维贯通孔隙结构g‑C3N4/TiO2具有0.5‑1.5nm的微孔、2‑4nm和25‑45nm

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113117720 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110403800.8 C02F 101/38 (2006.01)

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