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本发明涉及反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置。用含氟化合物的药液清洗也能抑制氟化合物残留在反应管内周面。该技术具有：将具有对反应管进行退火第1退火工序、用含第1浓度的氟化合物的液体对第1退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第1清洗工序及用纯水冲洗第1清洗工序中使用的氟化合物进行的第1漂洗工序且将第1漂洗工序进行1次以上的循环作为1个循环并将其进行1次或多次；对反应管进行退火的第2退火工序；用含比第1浓度高的第2浓度的氟化合物的液体对第2退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第2清
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113145578 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 202110084725.3
(22)申请日 2021.01.21
(30)优先权数据
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