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一种可放电加工的氮化硅基复合导电陶瓷及其制备方法.pdfVIP

一种可放电加工的氮化硅基复合导电陶瓷及其制备方法.pdf

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    本发明属于结构陶瓷生产技术领域，具体提供了一种可放电加工的氮化硅基复合导电陶瓷，按照重量份数计，包括Si3N4粉料70～80份，TiB2粉料20～30份，氧化铝与WC合计1～5份，其中氧化铝与WC的质量比1:1，以及上述组分质量总和1％的树胶粉作为粘结剂。以及提供了制备该种导电陶瓷的工艺方法，包括如下步骤，步骤1)将上述原料按照重量份数计配比，依次加入球磨机中混合5‑8小时后取出粉体，过筛后先干压预成型；步骤2)再经过180～240MPa冷等静压定型得到陶瓷件毛坯；步骤3)将上述毛坯在8.5～1

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113121245 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20191

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