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本发明公开了一种声光调制器用铟薄膜的制备方法,其包括如下步骤:(1)安装In靶材;(2)清洗衬底;(3)通过直流磁控溅射在衬底上生长铟薄膜,生长温度为100~400℃;(4)对铟薄膜进行氢气退火处理。本发明的制备方法,在100~400℃的温度下生长铟薄膜,还对铟薄膜进行氢气退火,由此,不仅可利用高温处理降低铟薄膜的电阻率,使其具有优良的导电性能,还可防止最终获得的铟薄膜被氧化,最终制得表面光滑、金属光泽度高、组分均一、导电性能稳定、以及适用于声光调制器中的铟薄膜。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113136556 A
(43)申请公布日 2021.07.20
(21)申请号 202110271388.9
(22)申请日 2021.03.12
(71)申请人 先导薄膜材料(广东)有限公司
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