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本发明公开了一种解决硅片洗净后出现颗粒团聚的清洗工艺，其清洗工艺包括以下步骤：S1、首先将粗抛液、中抛液、精抛液、高纯度氨水、双氧水、盐酸、氢氟酸和去蜡剂按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用，并选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP‑Free)的晶棒，并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节；抛光完成后，装水车运载至预清洗机待料；S2、然后设定预清洗机的药液浓度比、设定去蜡槽的和SC‑1槽的温度，将预清洗机的超声调节为：900±6W，设定预清洗机慢
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130295 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110250207.4
(22)申请日 2021.03.08
(71)申请人 中环领先半导体材料有限公司
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