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本发明激光装置,包括边发射半导体激光芯片,边发射半导体激光芯片包括长条形发光区,发光区平行结平面方向为慢轴,垂直结平面方向为快轴,快轴的发光角度大于慢轴,快轴的发光半角为A,还包括导光棒,导光棒设置在边发射半导体激光芯片发光区一侧,导光棒一个端面与发光区相面对,该端面用于接收发光区发出的激光,导光棒的数值孔径Na满足条件Na>sin(A),激光进入导光棒后在其内部反射并传播;该发明的导光棒一端收集边发射半导体激光芯片发出的激光,收集进入导光棒的激光经过数次反射和角度扭转后,从导光棒另一端出射,出
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113131339 A
(43)申请公布日
2021.07.16
(21)申请号 20191
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