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本发明公开了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法，该电容结构包括下电极，依次形成在下电极上的介电结构、上电极、第一导电结构以及掺杂有掺杂原子的导电层，通过在上电极和导电层之间设置第一导电结构，第一导电结构可以包括第一金属硅化物，第一金属硅化物具有较高的功函数，能够有效减少导电层中的掺杂原子向上电极中泄漏，另外，设置第一导电结构还可以有效降低上电极和导电层之间的接触电阻，从而能够有效改善器件性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113113539 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110381411.X
(22)申请日 2021.04.09
(71)申请人 福建省晋华集成电路有限公司
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