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2023-06-14 发布于四川
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本发明提供一种调整SRAMBeta比例的方法，提供基底，在基底上形成多个相互间隔的多晶硅结构；在相邻的多晶硅结构之间的基底中以斜角注入Halo，在多晶硅结构两侧的基底中形成Halo注入区；同时在Halo注入区上方的所述基底中形成LDD区；在多晶硅结构两侧的基底中分别形成源漏极；源漏极较所述Halo注入区和LDD区远离多晶硅结构。本发明从优化SRAM本身性能出发，不通过外围电路，不增加额外光罩，利用注入阴影效应，通过引入大倾斜角halo注入，改变两个SRAM器件对多晶硅CD的器件速度敏感系数，利

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140515 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110330232.3 (22)申请日 2021.03.29 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

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