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本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层，其中，还包括：设置在所述量子点发光层和阴极之间的BiVO4层。本发明中，通过在所述量子点发光层和阴极之间设置一层BiVO4，BiVO4可以有效吸收射向非透明金属电极的光，并产生光生电子，产生的光生电子在外电场作用下，直接注入到量子点发光层，增大了电子的注入浓度，提高了量子点发光层中电子和空穴的复合机率，从而有效提高器件发光效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113130776 B
(45)授权公告日 2022.05.24
(21)申请号 201911397879.7 (56)对比文件
(22)申请日 2019.12.30
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