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本发明在于抑制存储单元的特性劣化且提高集成密度。一实施方式的存储器装置具备：第1及第2导电体，包含在相互分离的第1及第2积层体内的各自相同的层；半导体，在第1及第2积层体间包含：第1及第2部分，各自沿着与第1及第2导电体交叉的第1方向延伸，且在同层相互分离；及第3部分，在比第1及第2导电体下方，将第1及第2部分电连接；第1电荷蓄积膜，位于第1导电体与半导体的第1部分之间；第2电荷蓄积膜，位于第2导电体与半导体的第2部分之间；第1绝缘体，位于第1导电体与第1电荷蓄积膜之间；第2绝缘体，位于第2导电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113169178 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 201980078681.4 (51)Int.Cl.
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