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存储器单元形成在半导体衬底上，该半导体衬底具有上表面，该上表面具有多个向上延伸的鳍。第一鳍和第二鳍在一个方向上延伸，并且第三鳍在正交方向上延伸。间隔开的源极区和漏极区形成在该第一鳍和该第二鳍中的每者中，从而在该第一鳍和该第二鳍中的每者中限定在其间延伸的沟道区。该源极区设置在该第三鳍与该第一鳍和该第二鳍之间的相交部处。浮动栅极侧向设置在该第一鳍和该第二鳍之间，并且侧向设置成与该第三鳍相邻，并且沿着该沟道区的第一部分延伸。字线栅极沿着该沟道区的第二部分延伸。控制栅极设置在该浮动栅极上方。擦除栅极设置
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113169174 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 201980079700.5 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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