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本发明提供碳化硅半导体装置的制造方法，该碳化硅半导体装置是混合有肖特基结和pn结的JBS结构的碳化硅二极管，该碳化硅半导体装置的制造方法能够维持SBD结构的低的正向电压，且提高浪涌电流耐量。通过低温度和高温度这2次的热处理使金属材料膜(52)和半导体基板(30)反应，在氧化膜(51)自对准地形成镍硅化物膜(33)，该金属材料膜(52)依次层叠有与在氧化膜(51)的开口部(51a、51b)分别露出的p型区(13)和FLR(21)的整个连接区域(20a)部分接触的第一镍膜(58)、铝膜(53)和第二
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113161232 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 202011374904.2 H01L 29/872 (2006.01)
(22)申请日
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