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一种电压钳位电路.pdfVIP

一种电压钳位电路.pdf

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    本发明涉及一种电压钳位电路和碳化硅MOSFET导通损耗的测量系统及方法，所述电压钳位电路包括：场效应晶体管、栅极电阻、驱动信号源、源极电阻和齐纳二极管；当待测碳化硅MOSFET关断时，齐纳二极管击穿导致场效应晶体管断开，由场效应晶体管承担待测碳化硅MOSFET的大部分关断电压，电压测量正极端子和电压测量负极端子之间只有小部分的关断电压，将待测碳化硅MOSFET的关断电压限制为一个较小的值，从而可减小示波器的测试量程，在提高导通电压测量精度的同时避免示波器的饱和现象。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113110681 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 202110509529.6 审查员 王佳玉 (22)申请日 2021.05.11

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