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包括存储单元串的垂直非易失性存储器件.pdfVIP

包括存储单元串的垂直非易失性存储器件.pdf

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    公开了一种垂直非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。该非易失性存储器件的每个存储单元串包括：半导体层，在第一方向上延伸并具有与第二表面相反的第一表面；多个栅极和多个绝缘体，在第一方向上交替地布置并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；栅极绝缘层，在所述多个栅极与半导体层的第一表面之间以及在所述多个绝缘体与半导体层的第一表面之间沿第一方向延伸；以及电介质膜，在半导体层的第二表面上沿第一方向延伸并具有分布在其中的多个可移动的氧空位。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130508 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202010805334.1 G11C 16/04 (2006.01) (22)申请日 2

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