半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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生成布局图的方法包括：选择从相应的VG图案到对应的切割栅极部分的第一距离等于或大于第一参考值的栅极图案；并且对于每个选择的栅极图案，将相应的切割栅极部分的尺寸从第一值增大到第二值；第二值产生相应的栅极图案的相应的残余部分的第一类型的悬垂；并且第一类型的悬垂是超出相应的第一最近有源区图案或第二最近有源区图案的相应的残余部分的最小允许量的悬垂。结果是栅极图案的残余部分的相应端部之间的间隙扩大。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113158609 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110258905.9 (22)申请日 2021.03.10 (30)优先权数据 63/018,06