PIP电容的制作方法.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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PIP电容的制作方法.pdf

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本发明提供了一种PIP电容的制作方法，包括：提供衬底，衬底包括CELL区和PIP区；在PIP区内形成第一浅沟槽隔离结构；在刻蚀CELL区的衬底形成有源区的同时，刻蚀所述第一浅沟槽隔离结构形成第二浅沟槽隔离结构，第二浅沟槽隔离结构呈正弦波的形状；在第二浅沟槽隔离结构上依次形成字线多晶硅、绝缘层和栅极多晶硅，字线多晶硅、绝缘层和栅极多晶硅均呈高低起伏的形状。本发明首先形成的第二浅沟槽隔离结构上形成的字线多晶硅和栅极多晶硅均呈正弦波的形状，增加了字线多晶硅和栅极多晶硅的相对面积，从而增加了电容值。并且

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113192927 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 202110459850.8 (22)申请日 2021.04.27 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司