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本发明提供了一种高质量掺钪氮化铝薄膜模板的制备方法，包括如下步骤：S1、准备衬底；S2、在所述衬底上采用镀膜技术沉积薄膜过渡层；S3、采用高温面对面热处理技术对所述薄膜过渡层在纯氮气气氛下进行高温热处理形成高质量缓冲层；S4、采用反应式磁控溅射沉积法在所述缓冲层上沉积掺钪氮化铝薄膜。使用本发明的方法，能制备出高结晶性能的掺钪氮化铝薄膜，解决了高Sc浓度的掺入对氮化铝薄膜取向严重恶化的重要难题，并能实现不同膜厚下远超现有技术水平的结果，为更高频、增强型压电响应、更高机电耦合系数及更高Q值的SAW/
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113174574 A
(43)申请公布日 2021.07.27
(21)申请号 202110347760.X C23C 14/10 (2006.01)
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