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- 2023-06-15 发布于四川
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本公开涉及一种半导体装置的形成方法，提供负电容场效晶体管与铁电场效晶体管装置与其形成方法。负电容场效晶体管与铁电场效晶体管装置的栅极介电堆叠包括非铁电的界面层形成于半导体通道上，以及铁电的栅极介电层形成于界面层上。铁电的栅极介电层的形成方法可为将掺质源层夹设于非晶的高介电常数的介电层之间，接着以沉积后退火使依序交错的介电层转换成铁电的栅极介电层。铁电的栅极介电层具有可调的铁电特性，且可采用原子层沉积或等离子体辅助原子层沉积技术精准控制掺质源层的位置以改变可调的铁电特性。综上所述，此处所述的方法所
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113206044 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110143524.6
(22)申请日 2021.02.02
(30)优先权数据
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