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本公开涉及半导体器件及方法。在一个实施例中，一种结构包括：纳米结构；外延源极/漏极区域，与纳米结构相邻；栅极电介质，围绕纳米结构；栅极电极，位于栅极电介质之上，该栅极电极具有上部部分和下部部分，该上部部分的第一宽度在远离纳米结构的顶表面延伸的第一方向上连续增加，该下部部分的第二宽度沿第一方向是恒定的；以及栅极间隔件，位于栅极电介质和外延源极/漏极区域之间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192889 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202010748996.X B82Y 10/00 (2011.01)
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