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一种存储器器件包括多个位线、多个字线和存储器单元阵列,该存储器单元阵列包括耦合到位线和字线的多个位单元。位单元中的每一个配置为在位线上呈现初始逻辑状态。电源端子耦合到存储器单元阵列。控制器耦合到字线和位线,并且配置为在RNG阶段期间将位线预充电到低于第一电压电平的第二电压电平,并且确定多个位单元的初始逻辑状态以生成随机数。第一电压电平是用于在SRAM阶段期间操作存储器单元阵列的电压电平。本发明的实施例还涉及随机数发生器及其操作方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113176872 A
(43)申请公布日 2021.07.27
(21)申请号 202011635161.X
(22)申请日 2020.12.31
(30)优先权数据
16/869,85
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