半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：第一电介质层，设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，设置在第一电介质层之上；第一金属部分，设置在第一电介质层中并与导电特征接触；以及掺杂金属部分，设置在第一金属部分之上。第一金属部分和掺杂金属部分包括相同的贵金属材料。掺杂电介质层和掺杂金属部分包括相同的掺杂剂。掺杂剂被键合到该贵金属材料。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161320 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110384428.0 H01L 21/768 (2006.01) (22)申请日