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提供一种能够高速地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置在读出动作中，第1行解码器在对第1字线施加读出电压之前，施加与读出电压不同的第1突跳电压；第1驱动器对于第1读出放大器的第1节点供给第1电压；第2驱动器对于第2读出放大器的第2节点供给第2电压；第1读出放大器在第1节点被充电为第1电压之后，被连接到第1位线；第2读出放大器在第2节点被充电为第2电压之后，被连接到第2位线；第1读出放大器在被连接到第1位线之后，通过判定第1节点的电位的变动，判定存储在第1存储单元中的数据；第2读出放大器
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110648707 A
(43)申请公布日
2020.01.03
(21)申请号 20181
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